当地时间11月9日，存储大厂美光科技宣布推出32Gb单片芯片128GB DDR5 RDIMM内存，速度高达8000MT/s，可支持当前和未来的数据中心工作负载。

据美光介绍，该产品采用美光1β(1-beta)技术，与竞争性3DS硅通孔(TSV)产品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高达24%、延迟降低高达16%、AI训练性能提升高达28%。该产品旨在满足数据中心和云环境中各种关键任务应用程序的性能和数据处理需求，包括人工智能(AI)、存储数据库(IMDB)）以及多线程、多核计数一般计算工作负载的高效处理。

美光32Gb DDR5内存解决方案采用创新的芯片架构选择，可实现ling先的阵列效率和zui密集的单片DRAM芯片。电压域和刷新管理功能有助于优化供电网络，提供急需的能源效率改进。并优化了芯片尺寸纵横比，以提高32Gb高容量DRAM芯片的制造效率。

美光预计2024年发货4800MT/s、5600MT/s和6400MT/s128GB RDIMM产品，未来将提升至8000MT/s。