近期，媒体报道三星电子就计划2024年推出先进3D芯片封装技术SAINT（三星gao级互连技术），能以更小尺寸的封装，将AI芯片等高性能芯片的内存和处理器集成。

据悉，三星SAINT将被用来制定各种不同的解决方案，可提供三种类型的封装技术，分别是垂直堆栈SRAM和CPU的SAINT S；CPU、GPU等处理器和DRAM内存垂直封装的SAINT D；应用处理器（AP）堆栈的SAINT L。

目前，三星已经通过验证测试，但计划与客户进一步测试后，将于明年晚些时候扩大其服务范围，目标是提高数据中心AI芯片及内置AI功能手机应用处理器的性能。

近年，随着半导体元件微缩制程逼近物理极限，3D芯片先进封装技术备受业界重视，晶圆代工大厂也持续发力。除了三星之外，台积电、英特尔与联电亦在积极布局3D芯片先进封装技术。

其中，台积电正大手笔测试和升级3D芯片间堆叠技术SoIC，以满足苹果和英伟达等客户需求；英特尔已经开始使用新一代 3D芯片封装技术Fooveros制造先进芯片；联电则于本月初推出晶圆对晶圆（W2W）3D IC项目，利用硅堆叠技术提供高效整合内存和处理器的jian端解决方案。