据报道，近日，新加坡科学技术研究局 (A * STAR) 下属研究机构微电子研究所 (IME) 与德国扩散及退火设备供应商centrotherm International AG就8英寸SiC技术达成合作，IME的8英寸开放式R&D SiC试产线将与centrotherm的扩散及退火设备相结合，为SiC材料制备环节提供解决方案。

双方共同研发的集成式SiC MOSFET技术解决方案（来源：A*STAR 及centrotherm）
业界熟知，SiC拥有高能效、高功率、耐高压等特性，已成为电动汽车、轨道交通、数据中心及电网等高压高功率应用领域的理想材料，市场需求呈现不断增长的趋势。但SiC产品和技术目前尚未大规模商用化应用，处于供不应求的阶段，而量产的其中一个主要障碍便是SiC衬底环节，该环节现阶段仍存在较多缺陷问题，迫切需要突破各项瓶颈。

在此背景下，IME与centrotherm旨在结合IME的工艺集成和器件特性描述能力以及centrotherm的zhuan业设备，共同开发用于制造SiC器件的热处理技术，譬如，优化沟槽和栅氧化物形成，借此增强SiC MOSFET、SiC二极管等器件的性能和可靠性。

据了解，IME成立于1991年，立足于quan球半导体产业，目前聚焦先进封装、piezoMEMS、SiC/GaN、毫米微波、光学传感器等领域的研发工作。

在SiC领域，IME近年来已陆续与材料厂商Soitec、东丽及ST意法半导体等SiC主要玩家达成战略合作关系，持续发力8英寸SiC材料技术，瞄准高功率应用市场的机会。

而centrotherm拥有70多年的历史，热处理和涂层技术是该公司的he心竞争力，其设备的应用场景覆盖晶圆制造、功率半导体、MEMS、光电、光伏、光纤制造等。随着公司朝向SiC等功率半导体领域发展，centrotherm下一步计划进一步增强宽禁带半导体工艺模块的扩散和退火工艺zhuan业性，并将zhuan业知识拓展至SiC/GaN及其他创新性宽禁带半导体材料领域。

作为本次合作的一部分，centrotherm将在新加坡组件一支zhuan业的技术团队，为IME提供技术know-how，工艺配方和现场支持。

IME认为，公司的8英寸SiC试产线与centrotherm的先进设备相结合，有利于两家公司加快技术和产品研发的步伐，更好地应对市场需求。