? 实现现有DDR5 DRAMzui高运行速度和基于‘HKMG’工艺的超低功耗

? 期待成功完成zui高性能的1b DDR5 DRAM 产品验证

? “开始量产zui先进的1b工艺，以业界zui高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩”

? 明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品

2023年5月30日，SK海力士宣布，已完成现有DRAM中zui为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔公司（Intel?）开始了“英特尔数据中心存储器ren证程序（The Intel Data Center Certified memory program）”。

此程序是英特尔的服务器用第四代至强?可扩展平台*（ Intel? Xeon? Scalable platform）所采用的存储器产品兼容性的正式ren证流程。

SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），公司技术团队实现了目前市面上DDR5 DRAM的zui高速度。与DDR5 DRAM初期阶段的试制品*相比，数据处理速度提升了33%。

另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”*工艺，与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20%以上。

SK海力士强调：“通过1b技术的研发成功，将可向quan球客户供应高性能与高效能功耗比*兼备的DRAM产品。”

SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕说道：“就如于公司在今年1月将第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM适用到英特尔?第四代至强?可扩展处理器（4th Gen Intel? Xeon? Scalable processors），并在业界首次获得ren证，此次1b DDR5 DRAM产品验证也会成功完成。”

金副社长又说到：“有预测称从今年下半年起存储器市场状况将得到改善，公司将以1b工艺量产等业界zui高的DRAM竞争力水平加速改善今年下半年业绩。又计划在明年上半年将zui先进的1b工艺扩大适用于LPDDR5T和HBM3E*产品。”

英特尔公司存储器I/O技术部门副总裁Dimitrios Ziakas表示：“英特尔公司为了DDR5 DRAM和英特尔平台间的兼容性验证，在与存储器行业紧密合作。SK海力士的1b DDR5 DRAM将适用于英特尔的新一代至强?可扩展平台，为此业界首次进行着英特尔数据中心存储器ren证程序。”

另外，SK海力士表示，为了将已完成一轮兼容性验证的1a DDR5 DRAM适用于英特尔下一代至强?可扩展平台的追加ren证流程也正在同步进行中。

– 2020年10月，推出quan球首款DDR5 DRAM

– 2021年12月，quan球首次提供24Gb DDR5 DRAM样品

– 2023年1月，quan球首获1a DDR5服务器DRAM英特尔ren证

– 2023年4月，quan球首次向英特尔提供1b DDR5服务器DRAM样品

*DDR5 DRAM初期阶段试制品的运行速度为4.8Gbps（每秒4.8千兆比特），JEDEC标准中DDR5的zui高运行速度为8.8Gbps。

*HKMG（High-K Metal Gate）: 在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可以改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士于去年11月推出了在移动DRAM上quan球首次采用HKMG工艺的8.5Gbps LPDDR5X。在今年1月推出的9.6Gbps LPDDR5T移动DRAM也采用了HKMG工艺。

*效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标

*HBM3E（HBM3 Extended）：HBM以di一代（HBM）-第二代（HBM2）-第三代（HBM2E）-第四代（HBM3）的顺序开发，HBM3的下一代产品为第五代HBM3E。SK海力士计划在今年下半年准备具备8Gbps数据传输性能的HBM3E样品，并将于明年投入量产。