8月20日，瞻芯电子官微表示，其依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101车规级可靠性ren证证书，而且通过了新能源行业头部企业的导入测试，正式开启量产交付。

据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与di一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。

同时，第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性ren证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。

据了解，瞻芯电子将在2023年陆续推出更多规格类型的第二代SiC MOSFET，耐压等级包括650V/750V/1200V/1700V，导通电阻覆盖14mΩ-50Ω，并且大都采用车规级标准设计。

据guan方介绍，瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。公司致力于开发SiC功率器件、驱动和控制芯片、SiC功率模块产品，并围绕SiC应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。

guan方资料显示，瞻芯电子是中国di一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，并建成了一座车规级SiC晶圆厂，标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型，进入中国ling先SiC功率半导体公司行列。