据钜亨网报道，美光于8月21日表示，需要联邦政府资金和投资税收抵免来发展其位于爱达荷州首府波伊西(Boise)和纽约州的存储器芯片制造厂。

该公司表示，已根据《芯片法案》(CHIPS Act)向美国商务部提出资金申请。该法案只在推动半导体供应链多元化。

2022年8月，美国总统拜登签署《芯片法案》，为美国半导体生产和研究提供527亿美元的补贴。

同年9月，美光表示，到2032年，该公司将在爱达荷州首府波伊西的工厂投资约150亿美元，到2030年，该投资将创造1.7万个就业机会。

同年10月，美光宣布，公司计划在纽约州中部打造一个巨型晶圆厂，以促进存储芯片的生产。在未来20年，美光计划向工厂总共投资高达1000亿美元。

当时消息显示，美光将向一期项目投资200亿美元，在纽约克莱镇新建一个巨型工厂。这座工厂zui终可能包含四个600,000平方英尺的洁净室——半导体工业生产厂房，总计面积能达到240万平方英尺，规模接近40个橄榄球场的大小，创美国半导体行业历史之zui。

该工厂计划2023年开始场地准备工作，2024年开始施工，2025年实现量产，并在2026年-2030年间根据行业需求逐步增产。

美光表示，其在纽约的超级工厂是其战略的一部分，该战略旨在在未来十年将美国制造的ling先DRAM产量逐步提高到公司quan球产量的40%。

美光的业务主要以DRAM和NAND Flash为主。据TrendForce集邦咨询zui新数据，2023年di一季度，美光在NAND Flash和DRAM领域的市占率分别为10.3%及28.2%，各pai名第五和第二位。