8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议。

安徽长飞先进半导体消息显示，长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资约100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等，将助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。

资料显示，安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。目前，可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。