1月25日，联电与英特尔共同宣布，双方将合作在英特尔美国亚利桑那州厂开发和制造12nm制程平台，以因应行动、通讯基础建设和网络等市场快速成长需求。

图片来源：英特尔guan网截图

两家公司表示，将致力满足客户需求，通过生态系合作伙伴提供的EDA和知识产权IP解决方案，合作支援12nm制程的设计实现，12nm制程预计在2027年投入生产。据了解，联电与英特尔合作开发的12nm制程，将在英特尔位于美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造，透过运用晶圆厂的现有设备，大幅降低前期投资，并zui佳化利用率。

联电表示，与英特尔这项长期合作，是结合英特尔位于美国的大规模制造产能，和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验，以扩充制程组合，同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链，协助quan球客户做出更好的采购决策。

英特尔资深副总裁暨晶圆代工服务（IFS）总经理潘（Stuart Pann）表示，双方策略合作展现为quan球半导体供应链提供技术和制造创新的承诺，也是实现英特尔在2030年成为quan球第2大晶圆代工厂的重要一步。

联电共同总经理王石表示，联电与英特尔在美国合作制造12nm鳍式场效电晶体FinFET制程，是追求具成本效益的产能扩张，和技术升级策略的重要一环。并称，这项合作将协助客户顺利升级到12nm制程技术，同时受惠扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔策略合作，利用双方互补优势，扩大潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。

据TrendForce集邦咨询研究显示，在2023年第三季度晶圆代工市场中，联电以6.0%市占率占据quan球第四的位置，而英特尔晶圆代工服务（IFS）则为1.0%，居位quan球第九。